ordon_bg

produktoj

Nova Originala XC7K160T-1FBG676I Inventory Spot Ic Chip Integraj Cirkvitoj

Mallonga priskribo:


Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Produktaj Atributoj

TIPO PRISKRIBO
Kategorio Integraj Cirkvitoj (ICoj)

Enigita

FPGAoj (Field Programable Gate Array)

Mfr AMD Xilinx
Serio Kintex®-7
Pako Pleto
Produkta Statuso Aktiva
Nombro de LABoj/CLBoj 12675
Nombro de Logikaj Elementoj/Ĉeloj 162240
Totalaj RAM-Bitoj 11980800
Nombro de I/O 400
Tensio - Provizo 0.97V ~ 1.03V
Munta Tipo Surfaca Monto
Funkcia Temperaturo -40 °C ~ 100 °C (TJ)
Pako / Kazo 676-BBGA, FCBGA
Provizanta Aparato Pako 676-FCBGA (27×27)
Baza Produkta Nombro XC7K160

Raporti Eraron pri Produktaj Informoj

Vidi Simile

Dokumentoj kaj Amaskomunikilaro

RIMEDOTIPO LIGO
Datenfolioj Kintex-7 FPGAs Datumfolio

7 Serio FPGA Superrigardo

Kintex-7 FPGAs Mallonga

Produktaj Trejnadaj Moduloj Funkciigante Serio 7 Xilinx FPGA-ojn kun TI Power Management Solutions
Media Informoj Xiliinx RoHS Cert

Xilinx REACH211 Cert

Elstara Produkto TE0741 Serio kun Xilinx Kintex®-7
PCN-Dezajno/Specifo Transŝipa Senplumbo-Avizo 31/okt/2016

Multevolua Materialo Ŝanĝo 16/Dec/2019

HTML-Datenfolio Kintex-7 FPGAs Mallonga

Mediaj kaj Eksportaj Klasifikoj

ATRIBUTO PRISKRIBO
RoHS-Statuso ROHS3 Konforma
Humid-Senteveca Nivelo (MSL) 4 (72 Horoj)
Statuso REACH REACH Netuŝita
ECCN 3A991D
HTSUS 8542.39.0001

Integra cirkvito

Integra cirkvito aŭ monolita integra cirkvito (ankaŭ nomata IC, blato aŭ mikroĉipo) estas aro deelektronikaj cirkvitojsur unu malgranda plata peco (aŭ "peceto") deduonkonduktaĵomaterialo, kutimesilicio.Grandaj nombrojde etaMOSFEToj(metalo-oksido-duonkonduktaĵokampefikaj transistoroj) integriĝu en malgranda blato.Tio rezultigas cirkvitojn kiuj estas grandordoj pli malgrandaj, pli rapidaj kaj malpli multekostaj ol tiuj konstruitaj el diskretaj.elektronikaj komponantoj.La IC-ojamasproduktadokapablo, fidindeco, kaj konstrubrike aliro alintegra cirkvito dezajnocertigis la rapidan adopton de normigitaj ICs anstataŭ dezajnoj uzantaj diskretajntransistoroj.ICoj nun estas uzataj en preskaŭ ĉiuj elektronikaj ekipaĵoj kaj revoluciis la mondon deelektroniko.Komputiloj,poŝtelefonojkaj aliahejmaj aparatojnun estas nedisigeblaj partoj de la strukturo de modernaj socioj, ebligitaj pro la eta grandeco kaj malalta kosto de ICoj kiel modernaj.komputilaj procesorojkajmikroregiloj.

Tre grandskala integriĝofariĝis praktika per teknologiaj progresoj enmetalo-oksido-silicio(MOS)fabrikado de duonkonduktaĵoj.Ekde iliaj originoj en la 1960-aj jaroj, la grandeco, rapideco kaj kapacito de blatoj ege progresis, pelitaj de teknikaj progresoj kiuj konvenas pli kaj pli da MOS-transistoroj sur blatoj de la sama grandeco - moderna blato povas havi multajn miliardojn da MOS-transistoroj en areo de la grandeco de homa ungo.Ĉi tiuj progresoj, proksimume sekvanteLeĝo de Moore, igas la komputilajn blatojn posedi milionojn da fojoj la kapacito kaj miloble la rapideco de la komputilaj blatoj de la fruaj 1970-aj jaroj.

ICoj havas du ĉefajn avantaĝojn superdiskretaj cirkvitoj: kosto kaj rendimento.La kosto estas malalta ĉar la blatoj, kun ĉiuj siaj komponantoj, estas presitaj kiel unuo perfotolitografioprefere ol esti konstruita unu transistoro samtempe.Krome, pakitaj ICoj uzas multe malpli materialon ol diskretaj cirkvitoj.Efikeco estas alta ĉar la komponentoj de la IC ŝanĝas rapide kaj konsumas relative malmulte da potenco pro sia eta grandeco kaj proksimeco.La ĉefa malavantaĝo de ICoj estas la alta kosto de dezajnado de ili kaj fabrikado de la bezonatafotomaskoj.Ĉi tiu alta komenca kosto signifas, ke ICoj estas nur komerce realigeblaj kiamaltaj produktadaj volumojestas antaŭviditaj.

Terminologio[redakti]

Anintegra cirkvitoestas difinita kiel:[1]

Cirkvito en kiu ĉiuj aŭ kelkaj el la cirkvitaj elementoj estas nedisigeble rilataj kaj elektre interligitaj tiel ke ĝi estas konsiderata kiel nedividebla por la celoj de konstruado kaj komerco.

Cirkvitoj renkontantaj tiun difinon povas esti konstruitaj uzante multajn malsamajn teknologiojn, inkluzive demaldikfilmaj transistoroj,dikaj filmaj teknologioj, aŭhibridaj integraj cirkvitoj.Tamen, en ĝenerala uzadointegra cirkvitoraportis al la unupeca cirkvitokonstruo origine konata kiel amonolita integra cirkvito, ofte konstruita sur ununura peco el silicio.[2][3]

Historio

Frua provo ĉe kombinado de pluraj komponentoj en unu aparato (kiel modernaj ICoj) estis laLoewe 3NFvakutubo de la 1920-aj jaroj.Male al ICoj, ĝi estis desegnita kun la celoimpostevitado, kiel en Germanio, radioriceviloj havis imposton kiu estis pagigita depende de kiom multaj tubteniloj havis radioricevilo.Ĝi permesis al radioriceviloj havi ununuran tubtenilon.

Fruaj konceptoj de integra cirkvito iras reen al 1949, kiam germana inĝenieroWerner Jacobi[4](Siemens AG)[5]arkivis patenton por integr-cirkvito-simila semikonduktaĵa plifortiga aparato[6]montrante kvintransistorojsur komuna substrato en trietapaamplifiloaranĝo.Jacobi malkaŝis malgrandan kaj malmultekostanaŭdaparatojkiel tipaj industriaj aplikoj de lia patento.Tuja komerca uzo de lia patento ne estis raportita.

Alia frua propagandanto de la koncepto estisGeoffrey Dummer(1909-2002), radarsciencisto laboranta por laReĝa Radara Establode la britojMinisterio pri Defendo.Dummer prezentis la ideon al publiko ĉe la Simpozio pri Progreso en Kvalitaj Elektronikaj Komponentoj enVaŝingtonola 7-an de majo 1952.[7]Li donis multajn simpoziojn publike por propagandi siajn ideojn kaj malsukcese provis konstrui tian cirkviton en 1956. Inter 1953 kaj 1957,Sidney Darlingtonkaj Yasuo Tarui (Elektroteknika Laboratorio) proponis similajn pecetdezajnojn kie pluraj transistoroj povis dividi oftan aktivan areon, sed ekzistis neelektra izoladoapartigi ilin unu de la alia.[4]

La monolita integra cirkvito blato estis ebligita per la inventoj de laplana procezodeJean Hoernikajp–n-junkcia izoladodeKurt Lehovec.La invento de Hoerni estis konstruita surMohamed M. Atallala laboro de surfacpasivigo, same kiel la laboro de Fuller kaj Ditzenberger pri la difuzo de boro kaj fosformalpuraĵoj en silicion,Carl Froschkaj la laboro de Lincoln Derick pri surfacprotekto, kajChih-Tang Sah's-laboro pri difuzmaskado de la oksido.[8]


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni