Nova Originala Integra Cirkvito BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC-Bceto
BSZ040N06LS5
La logika nivelo de OptiMOS™ 5-potencaj MOSFET de Infineon estas tre taŭga por sendrata ŝarĝo, adaptilo kaj telekomunikaj aplikoj.La malalta pordegŝargo de la aparatoj (Q g) reduktas ŝanĝajn perdojn sen endanĝerigado de konduktperdoj.La plibonigitaj figuroj de merito permesas operaciojn ĉe altaj ŝanĝaj frekvencoj.Krome, la logiknivela stirado disponigas malaltajn pordegajn sojlojnteni tensio (V GS(th)) permesante al la MOSFEToj esti movitaj ĉe 5V kaj rekte de mikroregiloj.
Resumo de Trajtoj
Malalta R DS (ŝaltita) en malgranda pakaĵo
Malalta pordego-ŝarĝo
Pli malalta eligo-ŝarĝo
Logika nivelkongruo
Profitoj
Pli alta potenco denseco dezajnoj
Pli alta ŝanĝfrekvenco
Reduktita partoj kalkulas kie ajn 5V provizoj estas haveblaj
Movite rekte de mikroregiloj (malrapida ŝanĝado)
Sistemkosto-redukto
Parametriko
| Parametriko | BSZ040N06LS5 |
| Buĝeta Prezo €/1k | 0.56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Muntado | SMD |
| Funkcia temperaturo min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Pako | PQFN 3.3 x 3.3 |
| Pinglo-kalkulo | 8 pingloj |
| Poluseco | N |
| QG (tipo @4.5V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (ŝaltita) (@4.5V LL) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (ŝaltita) (@4.5V) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (ŝaltita) (@10V) maks | 4 mΩ |
| Rth maks | 1,8 K/W |
| RthJA maks | 62 K/W |
| RthJC max | 1,8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
