Potenca administrado IC-fritoj ĉefe administras elektran energion konvertiĝon, distribuon, detekton kaj alian potencan administradon en elektronikaj ekipaĵsistemoj.Potenco mastrumado duonkonduktaĵo de la enhavita aparatoj, la eksplicita emfazo sur la potenco mastrumado integra cirkvito (potenco mastrumado IC, referita kiel potenco mastrumado blato) pozicio kaj rolo.Potenca administrado duonkonduktaĵo inkluzivas du partojn, nome potenco-administrado integra cirkvito kaj potenco-administrado diskreta duonkonduktaĵo aparato.
Estas multaj specoj de integraj cirkvitoj pri administrado de potenco, kiuj povas esti proksimume dividitaj en reguladon de tensio kaj interfaco.Tensio-modulatoro inkluzivas linearan malalttensian guton-reguligilon (t.e. LOD), pozitivan kaj negativan eligan seriocirkviton, krome, ne ekzistas pulslarĝa modulado (PWM) tipo ŝanĝa cirkvito, ktp.
Pro teknologia progreso, la fizika grandeco de la cifereca cirkvito en la integra cirkvito blato fariĝas pli kaj pli malgranda, do la funkcia nutrado evoluas al malalta tensio, kaj serio da novaj tensiaj reguligistoj aperas en la ĝusta momento.Interfaco-cirkvito de potenco-administrado ĉefe inkluzivas interfacan ŝoforon, motoran ŝoforon, MOSFET-ŝoforon kaj alttensian/alta nunan ekranan ŝoforon, ktp.
Komunaj ok specoj de potenco mastrumado IC blato klasifiko
Diskretaj duonkonduktaj aparatoj pri administrado de potenco inkluzivas iujn tradiciajn potencajn duonkonduktajn aparatojn, kiuj povas esti dividitaj en du kategoriojn, unu inkluzivas rektifilon kaj tiristoron;La alia estas la triodospeco, inkluzive de potenca dupolusa transistoro, enhavanta MOS-strukturan potencan kampefikan transistoron (MOSFET) kaj izolitan pordegan dupolusa transistoro (IGBT).
Delvis pro la proliferado de potencadministrad-ikonoj, potencsemikonduktaĵoj estis renomitaj potenco-administradsemikonduktaĵoj.Estas ĝuste ĉar tiom da integraj cirkvitoj (IC) en la nutrado kampo, homoj estas pli al potenco mastrumado nomi la nuna etapo de nutrado teknologio.
Potenco-administra semikonduktaĵo en la gvida parto de la potenco-administrado IC, povas esti proksimume resumita kiel la sekvaj 8.
1. AC/DC modulado IC.Ĝi enhavas malaltan tensian kontrolan cirkviton kaj alttensian ŝanĝan transistoron.
2. DC/DC modulado IC.Inkluzivas akcelon/malaltigajn reguligistojn kaj ŝargajn pumpilojn.
3. potenco faktoro kontrolo PFC pretuned IC.Provizu potencan enigcirkviton kun potenco-faktora korekta funkcio.
4. pulso modulado aŭ pulso amplitud modulado PWM/ PFM kontrolo IC.Pulsfrekvenca modulado kaj/aŭ pulslarĝa moduladregilo por veturado de eksteraj ŝaltiloj.
5. lineara modulado IC (kiel linia malalta tensio reguligilo LDO, ktp.).Inkluzivas antaŭajn kaj negativajn reguligistojn, kaj malaltan tensiofalon LDO-modulajn tubojn.
6. baterio ŝarĝo kaj administrado IC.Ĉi tiuj inkluzivas baterioŝargadon, protekton kaj potencajn ekranajn bildaĵojn, same kiel "inteligentajn" bateriojn por bateriaj datumoj komunikado.
7. Varma interŝanĝa estraro kontrolo IC (esceptita de la influo de enigado aŭ forigo de alia interfaco de la laboranta sistemo).
8. MOSFET aŭ IGBT-ŝanĝa funkcio IC.
Inter ĉi tiuj elektromastrumado ICS, tensio-reguligo ICS estas la plej rapide kreskantaj kaj plej produktivaj.La diversaj elektromastrumado-iko estas ĝenerale asociitaj kun kelkaj rilataj aplikoj, do pli da specoj de aparatoj povas esti listigitaj por malsamaj aplikoj.
La teknika tendenco de administrado de potenco estas alta efikeco, malalta energikonsumo kaj inteligenteco.Plibonigi efikecon implikas du malsamajn aspektojn: unuflanke, la totala efikeco de energikonverto estas konservita reduktante la grandecon de ekipaĵo;Aliflanke, la protekta grandeco estas senŝanĝa, multe plibonigante la efikecon.
Malalta sur-ŝtata rezisto en AC/DC-konvertoj renkontas la bezonon de pli efikaj adaptiloj kaj elektroprovizoj en komputilaj kaj telekomunikadaplikoj.En la elektra cirkvito dezajno, la ĝenerala ŝancatenda energikonsumo estis reduktita al sub 1W, kaj la elektra efikeco povas esti pliigita al pli ol 90%.Por plue redukti la nunan ŝancateman elektran konsumon, necesas novaj IC-produktado-teknologioj kaj sukcesoj en malalta potenca cirkvitodezajno.
Afiŝtempo: majo-20-2022