Nova Originala Integra Cirkvito Peceto IC DS90UB928QSQX/NOPB
Produktaj Atributoj
| TIPO | PRISKRIBO |
| Kategorio | Integraj Cirkvitoj (ICoj)Interfaco - Seriigiloj, Deseriigiloj |
| Mfr | Texas Instruments |
| Serio | Aŭtomobilo, AEC-Q100 |
| Pako | Bendo kaj Bobeno (TR)Tranĉita glubendo (CT) Digi-Reel® |
| Parto Statuso | Aktiva |
| Funkcio | Deserializer |
| Datumkurso | 2.975 Gbps |
| Eniga Tipo | FPD-Link III, LVDS |
| Eligo Tipo | LVDS |
| Nombro de Enigaĵoj | 1 |
| Nombro de Eligoj | 13 |
| Tensio - Provizo | 3V ~ 3.6V |
| Funkcia Temperaturo | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Munta Tipo | Surfaca Monto |
| Pako / Kazo | 48-WFQFN Eksponita Kuseneto |
| Provizanta Aparato Pako | 48-WQFN (7x7) |
| Baza Produkta Nombro | DS90UB928 |
Fabrikado de oblatoj
La originala materialo de la blato estas sablo, kiu estas la magio de scienco kaj teknologio.La ĉefa komponanto de sablo estas silicia dioksido (SiO2), kaj maloksidigita sablo enhavas ĝis 25 procentojn de silicio, la duan plej abundan elementon en la terkrusto kaj la bazo de la industrio de semikonduktaĵo.
Sablofandado kaj plurpaŝa purigo kaj purigo povas esti uzataj por semikonduktaĵa fabrikado de altpura polisilicio, konata kiel elektron-grada silicio, averaĝe estas nur unu malpura atomo en miliono da silicio-atomoj.24-karata oro, kiel vi ĉiuj scias, estas 99,998% pura, sed ne same pura kiel elektronika silicio.
Alta pureca polisilicio en la ununura kristala forno tirante, vi povas akiri preskaŭ cilindran unukristalan silician ingoton, pezon de ĉirkaŭ 100 kg, silician purecon ĝis 99,9999%.La Oblato estas nomita Oblato, kiu kutimas fari blatojn, tranĉante unukristalajn siliciajn ingotojn horizontale en rondajn ununurajn siliciajn oblatojn.
Monokristala silicio estas pli bona ol polikristala silicio en elektraj kaj mekanikaj propraĵoj, do semikonduktaĵfabrikado estas bazita sur monokristala silicio kiel la baza materialo.
Ekzemplo de vivo povas helpi vin kompreni polisilicon kaj monokristalan silicion.Roka dolĉaĵo ni devus esti vidinta, infanaĝo ofte manĝas kiel kvadrataj glacikuboj kiel roka dolĉaĵo, fakte, estas ununura kristala rokbombo.La responda polikristalina rokbombo, kutime neregula laŭforme, estas uzata en tradicia ĉina medicino aŭ supo, kiu havas la efikon de malsekigi pulmon kaj malpezigi tuson.
La sama materiala kristala aranĝo strukturo estas malsama, ĝia agado kaj uzo estos malsamaj, eĉ evidenta diferenco.
Fabrikistoj de semikonduktaĵoj, fabrikoj kiuj kutime ne produktas oblatojn sed simple movas oblatojn, aĉetas oblatojn rekte de Oblatoj-provizantoj.
Oblatfabrikado temas pri meti dezajnitajn cirkvitojn (nomitajn maskojn) sur oblatojn.
Unue, ni devas egale disvastigi la fotoreziston sur la oblan surfacon.Dum ĉi tiu procezo, ni devas teni la oblaton rotacianta tiel ke la fotorezisto povas esti disvastigita tre maldika kaj plata.La fotorezista tavolo tiam estas eksponita al ultraviola lumo (UV) tra Masko kaj iĝas solvebla.
La masko estas presita kun antaŭ-dizajnita cirkvito-ŝablono, tra kiu transviola lumo brilas sur la fotorezista tavolo, formante ĉiun tavolon de la cirkvito-ŝablono.Tipe, la cirkvito-ŝablono, kiun vi ricevas sur oblato, estas kvarono de la ŝablono, kiun vi ricevas sur la masko.
La fina rezulto estas iom simila.Fotolitografio prenas la cirkuladon de la dezajno kaj efektivigas ĝin sur oblato, rezultigante blaton, ekzakte kiel foto prenas bildon kaj efektivigas kiel la realaĵo aspektas sur filmo.
Fotolitografio estas unu el la plej gravaj procezoj en la fabrikado de blatoj.Kun fotolitografio, ni povas meti la desegnitan cirkviton sur oblaton, kaj ripeti ĉi tiun procezon por krei multoblajn identajn cirkvitojn sur la oblato, ĉiu el kiuj estas aparta blato, nomita ĵetkubo.La fakta pecet-kreada procezo estas multe pli kompleksa ol tio, kutime implikante centojn da ŝtupoj.Do duonkonduktaĵoj estas la krono de fabrikado.
Kompreni la produktadprocezon de blato estas tre grava por pozicioj rilataj al semikonduktaĵfabrikado, precipe por teknikistoj en FAB-fabrikoj aŭ amasproduktadpozicioj kiel ekzemple produkta inĝeniero kaj testinĝeniero en blataj R&D-teamoj.
